Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1992
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00015962
Soumis le : lundi 5 juin 2000-08:27:36
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00015962 , version 1
Citer
F. Foulon, M. Green, F.N. Goodall, S. de Unamuno. Laser-projection-patterned etching of GaAs in a chlorine atmosphere. Journal of Applied Physics, 1992, 71, pp.2898-2907. ⟨in2p3-00015962⟩
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