Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1990
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00016161
Soumis le : jeudi 29 juin 2000-08:24:18
Dernière modification le : mardi 7 novembre 2023-11:28:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00016161 , version 1
Citer
A. Slaoui, F. Foulon, P. Siffert. Excimer laser induced doping of phosphorus into silicon. Journal of Applied Physics, 1990, 67, pp.6197. ⟨in2p3-00016161⟩
Collections
3
Consultations
0
Téléchargements