Excimer laser induced doping of phosphorus into silicon - Cancéropôle du Grand Est Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 1990

Excimer laser induced doping of phosphorus into silicon

A. Slaoui
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
F. Foulon
  • Fonction : Auteur
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00016161

Soumis le : jeudi 29 juin 2000-08:24:18

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00016161 , version 1 (29-06-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016161 , version 1

Citer

A. Slaoui, F. Foulon, P. Siffert. Excimer laser induced doping of phosphorus into silicon. Journal of Applied Physics, 1990, 67, pp.6197. ⟨in2p3-00016161⟩

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