Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium - Cancéropôle du Grand Est Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1991

Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium

P. Thevenin
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019134

Soumis le : lundi 26 février 2001-07:37:51

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019134 , version 1 (26-02-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019134 , version 1

Citer

P. Thevenin. Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1991. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00019134⟩

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