Annealing kinetics during rapid thermal processing of excimer laser-induced defects in virgin silicon - Cancéropôle du Grand Est Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 1990

Annealing kinetics during rapid thermal processing of excimer laser-induced defects in virgin silicon

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019447

Soumis le : mercredi 30 mai 2001-11:05:37

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019447 , version 1 (30-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019447 , version 1

Citer

B. Hartiti, A. Slaoui, J.C. Muller, P. Siffert. Annealing kinetics during rapid thermal processing of excimer laser-induced defects in virgin silicon. Applied Surface Science, 1990, 46, pp.371-374. ⟨in2p3-00019447⟩

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