Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1984
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019467
Soumis le : jeudi 31 mai 2001-08:44:33
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00019467 , version 1
Citer
M. Toulemonde, R. Heddache, F. Nielsen, P. Siffert. Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation. Journal of Applied Physics, 1984, 56, pp.1878-1880. ⟨in2p3-00019467⟩
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