Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires

J.P. Ponpon (1) , P. Siffert (1)

1 IReS - Institut de Recherches Subatomiques

Le rendement des cellules solaires au silicium réalisées par diode Schottky dépend essentiellement de la hauteur de la barrière de potentiel au contact métal-semiconducteur. On propose ici deux procédés permettant de porter cette barrière aux environs de 1 eV, soit par évaporation de hafnium sur du silicium P, soit par une implantation d'ions avant la formation d'une diode Schottky à l'or sur du silicium N.

Mots clés: photodiodes; Schottky barrier diodes; solar cells; Schottky Si diodes; metal semiconductor contact; Hf contacts; p Si; n Si; barrier height; ion implantation

Domaines: Articles anciens

J.P. Ponpon, P. Siffert. Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires. Journal de Physique Lettres, 1975, 36 (5), pp.149-151. ⟨10.1051/jphyslet:01975003605014900⟩. ⟨jpa-00231175⟩