Comment on ``Destructive effect of disorder and bias voltage on interface resonance transmission in symmetric tunnel junctions'' - Tusche et al. reply - Couches nanométriques : formation, interfaces, défauts Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review Letters Année : 2006

Comment on ``Destructive effect of disorder and bias voltage on interface resonance transmission in symmetric tunnel junctions'' - Tusche et al. reply

C Tusche
  • Fonction : Auteur
Hl Meyerheim
  • Fonction : Auteur
G Renaud
  • Fonction : Auteur
A Ernst
  • Fonction : Auteur
J Henk
  • Fonction : Auteur
P Bruno
  • Fonction : Auteur
J Kirschner
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01288820 , version 1 (15-03-2016)

Identifiants

Citer

C Tusche, Hl Meyerheim, Nathalie Jedrecy, G Renaud, A Ernst, et al.. Comment on ``Destructive effect of disorder and bias voltage on interface resonance transmission in symmetric tunnel junctions'' - Tusche et al. reply. Physical Review Letters, 2006, 96 (11), pp.119602. ⟨10.1103/PhysRevLett.96.119602⟩. ⟨hal-01288820⟩
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