Measurements of high energy loss rates of fast highly charged U ions channeled in thin silicon crystals - Couches nanométriques : formation, interfaces, défauts Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2011

Measurements of high energy loss rates of fast highly charged U ions channeled in thin silicon crystals

A. Bräuning-Demian
  • Fonction : Auteur
H. Bräuning
  • Fonction : Auteur
M. Chevallier
D. Dauvergne
C. Kozhuharov
  • Fonction : Auteur
D. Liesen
  • Fonction : Auteur
P. H. Mokler
  • Fonction : Auteur
Th. Stöhlker
  • Fonction : Auteur
E. Testa
M. Toulemonde
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00609765 , version 1 (20-07-2011)

Identifiants

Citer

C. Ray, A. Bräuning-Demian, H. Bräuning, M. Chevallier, C. Cohen, et al.. Measurements of high energy loss rates of fast highly charged U ions channeled in thin silicon crystals. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2011, 84, pp.024119. ⟨10.1103/PhysRevB.84.024119⟩. ⟨in2p3-00609765⟩
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